歡迎來(lái)到上海荷效壹科技有限公司網(wǎng)站！歡迎來(lái)到上海荷效壹科技有限公司網(wǎng)站！
15651013786
一、背景與目標(biāo)
隨著5G基站向高頻化、高集成化、高功率密度方向發(fā)展，其核心芯片（如射頻前端芯片、基帶處理芯片、電源管理芯片等）面臨更嚴(yán)苛的可靠性挑戰(zhàn)。其中，高溫高濕環(huán)境（85℃/85%RH及以上）與電流過(guò)載（如瞬間浪涌、長(zhǎng)期超設(shè)計(jì)電流）的復(fù)合應(yīng)力是導(dǎo)致芯片失效的關(guān)鍵場(chǎng)景（如電遷移、熱膨脹開(kāi)裂、絕緣層擊穿、焊點(diǎn)疲勞等）。
荷效壹集團(tuán)作的半導(dǎo)體與通信設(shè)備測(cè)試解決方案服務(wù)商，依托其在環(huán)境可靠性測(cè)試、半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域的技術(shù)積累，聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游（芯片設(shè)計(jì)、封裝、基站設(shè)備廠商），設(shè)計(jì)一套“5G基站芯片高溫高濕電流過(guò)載應(yīng)力測(cè)試”全流程解決方案，目標(biāo)包括：
驗(yàn)證芯片在復(fù)合應(yīng)力下的可靠性邊界（壽命、失效閾值）；
明確關(guān)鍵失效模式與機(jī)理（如材料界面失效、熱-電耦合損傷）；
為芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化（如材料選型、結(jié)構(gòu)加固）、工藝改進(jìn)（如封裝可靠性提升）及量產(chǎn)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定提供數(shù)據(jù)支撐；
推動(dòng)行業(yè)測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)化，確立荷效壹集團(tuán)在5G基站芯片可靠性測(cè)試領(lǐng)域的地位。
二、測(cè)試體系設(shè)計(jì)
1. 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與指標(biāo)定義
基于5G基站芯片的應(yīng)用場(chǎng)景（如戶外宏站、小基站、邊緣計(jì)算單元），結(jié)合國(guó)際/行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)與企業(yè)需求，定義核心測(cè)試參數(shù)：
| 測(cè)試維度 | 參考標(biāo)準(zhǔn) | 關(guān)鍵指標(biāo) |
| 高溫高濕環(huán)境 | JEDEC JESD22-A101（恒溫恒濕）、JESD22-A120（溫濕度循環(huán)） | 溫度范圍：-40℃~125℃（重點(diǎn)85℃/85%RH）；濕度波動(dòng)：±3%RH；溫變率：5℃/min~10℃/min |
| 電流過(guò)載應(yīng)力 | AEC-Q100（汽車級(jí)可靠性）、IEC 61000-4-2（浪涌） | 過(guò)載倍數(shù)：1.2~2.0倍額定電流；持續(xù)時(shí)間：1ms~1000h（瞬時(shí)/長(zhǎng)期）；過(guò)載頻率：0.1Hz~1Hz |
| 復(fù)合應(yīng)力協(xié)同效應(yīng) | 自定義（荷效壹集團(tuán)專li方法） | 溫濕度-電流耦合速率（如溫濕度穩(wěn)定后施加電流的時(shí)間間隔）、多應(yīng)力疊加周期（如溫循+電流脈沖組合） |
2. 測(cè)試環(huán)境與設(shè)備配置
| 設(shè)備類型 | 功能要求 | 荷效壹集團(tuán)技術(shù)優(yōu)勢(shì) |
|---|---|---|
| 高低溫濕熱試驗(yàn)箱 | 精準(zhǔn)控制溫濕度，支持快速溫變（±0.5℃/min）與高均勻性（±1℃/±2%RH） | 自主研發(fā)“雙循環(huán)制冷+濕度動(dòng)態(tài)平衡”技術(shù)，溫濕度波動(dòng)度≤±0.3℃/±1.5%RH |
| 可編程直流電源+電子負(fù)載 | 模擬恒流/恒壓過(guò)載，支持瞬時(shí)浪涌（μs級(jí)響應(yīng)）與長(zhǎng)期過(guò)載（1000h連續(xù)運(yùn)行） | 集成“動(dòng)態(tài)電流波形編輯”功能，可模擬5G基站芯片實(shí)際工作中的浪涌、脈沖群等復(fù)雜電流場(chǎng)景 |
| 多參數(shù)在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng) | 實(shí)時(shí)采集芯片表面溫度（紅外熱像儀+接觸式熱電偶）、結(jié)溫（TJ）、功耗、漏電流等 | 毫秒級(jí)同步采樣（100Hz頻率），支持芯片級(jí)（微米級(jí)）熱點(diǎn)定位（紅外分辨率≤5μm） |
| 應(yīng)力耦合控制模塊 | 實(shí)現(xiàn)溫濕度與電流過(guò)載的時(shí)序/邏輯聯(lián)動(dòng)（如“溫濕度穩(wěn)定→施加電流→溫濕度再變化”） | 支持自定義“應(yīng)力-時(shí)間”矩陣（如85℃/85%RH下，1.5倍電流持續(xù)24h→降載至1.2倍電流循環(huán)100次） |
| 失效模式輔助分析系統(tǒng) | 結(jié)合聲學(xué)掃描顯微鏡（SAM）、X射線（X-Ray）、掃描電鏡（SEM）等，定位微觀失效點(diǎn) | 內(nèi)置“失效模式數(shù)據(jù)庫(kù)（含500+5G芯片案例）”，支持AI輔助失效機(jī)理診斷（準(zhǔn)確率≥90%） |
荷效壹集團(tuán)依托自主研發(fā)的“多應(yīng)力耦合可靠性測(cè)試系統(tǒng)（MCTR-5G）”，構(gòu)建高溫高濕-電流過(guò)載復(fù)合測(cè)試平臺(tái)，核心設(shè)備包括：
3. 測(cè)試對(duì)象與場(chǎng)景覆蓋
針對(duì)5G基站核心芯片，覆蓋以下典型場(chǎng)景：
射頻芯片（RFIC）：高溫高濕環(huán)境下，大電流（如PA功放）導(dǎo)致的焊點(diǎn)熱疲勞、互連金屬電遷移；
電源管理芯片（PMIC）：長(zhǎng)期過(guò)載（如負(fù)載突增）下的熱失控、電容電解液揮發(fā)；
基帶處理芯片（BBIC）：溫濕度循環(huán)中，高速IO接口（如LPDDR5、PCIe 5.0）的電遷移與信號(hào)完整性退化；
封裝與基板：FC-BGA封裝的硅通孔（TSV）、底部填充膠（Underfill）在高濕高溫+電流應(yīng)力下的界面分層。
三、測(cè)試實(shí)施流程
荷效壹集團(tuán)采用“分級(jí)驗(yàn)證+加速壽命評(píng)估”的雙軌制流程，兼顧效率與準(zhǔn)確性：
1. 預(yù)處理與初始特性測(cè)試
預(yù)處理：對(duì)芯片進(jìn)行清洗、烘干（125℃/2h），去除表面污染物，避免初始缺陷干擾；
初始特性測(cè)試：測(cè)量芯片的靜態(tài)參數(shù)（如閾值電壓Vth、導(dǎo)通電阻Rds-on）、動(dòng)態(tài)性能（如開(kāi)關(guān)頻率fsw、延遲時(shí)間t delay）、可靠性相關(guān)參數(shù)（如絕緣電阻I-V曲線、熱阻Rth）。
2. 單應(yīng)力基準(zhǔn)測(cè)試（可選）
高溫高濕基準(zhǔn)測(cè)試：在85℃/85%RH下持續(xù)1000h，驗(yàn)證芯片的基礎(chǔ)防潮、抗電化學(xué)腐蝕能力；
電流過(guò)載基準(zhǔn)測(cè)試：在常溫（25℃）下施加1.5倍額定電流，持續(xù)1000h，驗(yàn)證抗電遷移能力；
目的：分離單一應(yīng)力對(duì)芯片的影響，為復(fù)合應(yīng)力測(cè)試提供對(duì)比基準(zhǔn)。
3. 復(fù)合應(yīng)力加速測(cè)試（核心環(huán)節(jié)）
設(shè)計(jì)正交試驗(yàn)矩陣，覆蓋不同應(yīng)力水平的組合（示例）：
| 應(yīng)力組 | 溫濕度條件 | 電流過(guò)載倍數(shù) | 持續(xù)時(shí)間 | 循環(huán)次數(shù) | 終止條件 |
| 組1（低應(yīng)力） | 85℃/85%RH | 1.2倍 | 100h | 10次 | 參數(shù)漂移≥10%或功能失效 |
| 組2（中應(yīng)力） | 105℃/90%RH | 1.5倍 | 500h | 5次 | 出現(xiàn)不可逆失效（如短路） |
| 組3（高應(yīng)力） | 125℃/95%RH | 2.0倍 | 100h | 3次 | 樣品全失效 |
測(cè)試執(zhí)行：通過(guò)MCTR-5G系統(tǒng)自動(dòng)控制溫濕度與電流的時(shí)序（如“溫濕度穩(wěn)定30min→施加電流→保持24h→降載冷卻1h→重復(fù)循環(huán)”）；
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)：每5min記錄一次溫濕度、電流、電壓、功耗及芯片表面溫度分布（紅外熱像圖）；
中途抽樣：每24h抽取部分樣品進(jìn)行電鏡（SEM）檢查，觀察早期失效特征（如金屬互連線空洞、介質(zhì)層裂紋）
4. 失效分析與數(shù)據(jù)建模
失效模式分類：通過(guò)SAM、X-Ray、SEM等手段，將失效分為電遷移（EM）、熱機(jī)械疲勞（TMF）、絕緣擊穿（TDDB）、腐蝕（Corrosion）等類別；
加速因子計(jì)算：基于Arrhenius模型（溫度）與Eyring模型（濕度/電流），計(jì)算不同應(yīng)力水平下的加速因子，外推實(shí)際工作條件下的壽命（如10年@65℃/60%RH）；
壽命預(yù)測(cè)模型：采用Weibull分布擬合失效時(shí)間數(shù)據(jù)，建立“溫濕度-電流”復(fù)合應(yīng)力下的可靠性預(yù)測(cè)方程。
四、荷效壹集團(tuán)的行業(yè)作用
荷效壹集團(tuán)通過(guò)本方案的技術(shù)創(chuàng)新與服務(wù)模式升級(jí)，鞏固其在5G基站芯片測(cè)試領(lǐng)域的地位，具體體現(xiàn)：
1. 技術(shù)創(chuàng)新
自主設(shè)備研發(fā)：推出一款“5G芯片多應(yīng)力耦合測(cè)試系統(tǒng)（MCTR-5G）”，突破傳統(tǒng)溫循箱與電源系統(tǒng)獨(dú)立控制的局限，實(shí)現(xiàn)溫濕度-電流的μs級(jí)協(xié)同控制；
專li與標(biāo)準(zhǔn)輸出：申請(qǐng)“一種5G基站芯片復(fù)合應(yīng)力加速測(cè)試方法”等核心專li10項(xiàng)以上，參與制定《5G通信設(shè)備芯片可靠性測(cè)試規(guī)范》（行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)），推動(dòng)測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)化。
2. 全流程服務(wù)能力
從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的覆蓋：提供“芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證（DFT階段）→原型機(jī)測(cè)試（EVT/DVT）→量產(chǎn)抽檢（MP）”全生命周期測(cè)試服務(wù)，幫助客戶提前發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)缺陷（如封裝材料選型不當(dāng)）；
定制化解決方案：針對(duì)頭部客戶（如華為、中興、愛(ài)立信）的特殊需求，提供“應(yīng)力水平定制+專用失效分析報(bào)告”的定制服務(wù)。
3. 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的可靠性優(yōu)化
行業(yè)數(shù)據(jù)庫(kù)建設(shè)：積累500+5G芯片測(cè)試案例，建立“芯片類型-應(yīng)力水平-失效模式”關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)庫(kù)，為客戶提供“設(shè)計(jì)-測(cè)試-改進(jìn)”的閉環(huán)優(yōu)化建議（如推薦低電遷移率的銅合金互連線材料）；
AI輔助決策：通過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)算法分析測(cè)試數(shù)據(jù)，預(yù)測(cè)芯片在不同工況下的失效概率，幫助客戶優(yōu)化量產(chǎn)良率（預(yù)計(jì)提升5%~10%）。
五、預(yù)期成果
技術(shù)成果：輸出《5G基站芯片高溫高濕電流過(guò)載應(yīng)力測(cè)試書(shū)》，明確關(guān)鍵失效閾值與設(shè)計(jì)規(guī)范；
產(chǎn)業(yè)價(jià)值：幫助芯片廠商縮短可靠性驗(yàn)證周期30%以上（從傳統(tǒng)的6個(gè)月降至4個(gè)月），降低5G基站因芯片失效導(dǎo)致的運(yùn)維成本（預(yù)計(jì)年節(jié)約超10億元）；
品牌影響力：確立荷效壹集團(tuán)作為“5G基站芯片可靠性測(cè)試”的市場(chǎng)地位，市場(chǎng)額提升至國(guó)內(nèi)30%以上
結(jié)語(yǔ)：荷效壹集團(tuán)通過(guò)本方案，不僅為客戶提供高價(jià)值的測(cè)試服務(wù)，更通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與標(biāo)準(zhǔn)輸出，推動(dòng)5G通信產(chǎn)業(yè)鏈的可靠性水平整體提升。
網(wǎng)站首頁(yè)
